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SI2301CDS-T1-GE3

FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.05625-$0.081

更新日期：2025-01-08

SI2301CDS-T1-GE3

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.05625-$0.081

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SI2301CDS-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：405pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2301CDS-T1-GE3TR

SI2301CDS-T1-GE3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI2301CDS-T1-GE3

MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:8V; Power Dissipation:1.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3

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