- 封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.23807
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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RFD3055 中文资料属性参数
- 标准包装:75
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 12A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:23nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:300pF @ 25V
- 功率 - 最大:53W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
RFD3055 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
RFD3055
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12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
8 Pages页,419K | 查看 |
RFD3055
|
12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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RFD3055LE
|
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
8 Pages页,87K | 查看 |
RFD3055LE
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11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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RFD3055LESM
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11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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RFD3055LESM
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11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
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RFD3055SM
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12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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