您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

RFD16N05SM9A

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.30516-$0.35602

更新日期：2024-04-01

RFD16N05SM9A

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.30516-$0.35602

RFD16N05SM9A 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

RFD16N05SM9A 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：47 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 25V
  • 功率 - 最大：72W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：TO-252AA
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：RFD16N05SM9ATR

RFD16N05SM9A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
RFD16N05SM9A

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:50V; Continuous Drain Current, Id:16mA; On Resistance, Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes

8页,230K 查看

RFD16N05SM9A 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9