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PHT4NQ10T,135

NXP Semiconductors FET - 单
  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.32357-$0.81

更新日期：2024-04-01 00:04:00

PHT4NQ10T,135

NXP Semiconductors FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223

  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.32357-$0.81

PHT4NQ10T,135 供应商

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PHT4NQ10T,135 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：250 毫欧 @ 1.75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：300pF @ 25V
  • 功率 - 最大：6.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SC-73
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：568-6777-6

PHT4NQ10T,135 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PHT4NQ10T,135

MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.75A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Id Max:3.5A; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:6.9W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:130V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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