搜索
发布采购
- 封装：8-VDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N-CH 100V 30.7A SOT685-1
- 封装：8-VDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PHM25NQ10T,518 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 10A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：26.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1800pF @ 20V
- 功率 - 最大：62.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-HVSON
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：934057309518PHM25NQ10T /T3PHM25NQ10T /T3-ND
PHM25NQ10T,518 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G