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NTS4101PT1G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：SC-70，SOT-323
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0575-$0.0828

更新日期：2025-01-08

NTS4101PT1G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

  • 封装：SC-70，SOT-323
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0575-$0.0828

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NTS4101PT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.37A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：840pF @ 20V
  • 功率 - 最大：329mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTS4101PT1GOSTR

NTS4101PT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTS4101PT1G

MOSFET, P, 20V, SOT-323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.37A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-640mV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.37A; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:329mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-640mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

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