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NTR4502PT1G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07786-$0.10445

更新日期：2025-02-12

NTR4502PT1G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07786-$0.10445

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NTR4502PT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.95A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：200pF @ 15V
  • 功率 - 最大：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTR4502PT1GOSTR

NTR4502PT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTR4502PT1G

MOSFET, P, 30V, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.95A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.95mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

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