- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0738-$0.099
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0738-$0.099
NTJS3151PT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NTJS3151PT1G
原装现货 -
ON
-
SOT363
2250+ -
11977
-
深圳
-
12-12
-
原装进口ON专卖店
-
ON
-
-
8 -
1015
-
杭州
-
-
-
原装正品现货
-
ORSEMI/安森美
-
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
22+ -
669468
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
ONSemiconductor
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
ON/ELNAF
-
SOT-363
1835+ -
28000
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTJS3151PT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):400mV @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:850pF @ 12V
- 功率 - 最大:625mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:NTJS3151PT1GOSTR
NTJS3151PT1G 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G