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NTGS4111PT1

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

NTGS4111PT1

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

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NTGS4111PT1 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 3.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：750pF @ 15V
  • 功率 - 最大：630mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)

NTGS4111PT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTGS4111PT1G

P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.7A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V ;RoHS Compliant: Yes

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