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NTE4153NT1G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：SC-89，SOT-490
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.05663-$0.08154

更新日期：2024-04-01

NTE4153NT1G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

  • 封装：SC-89，SOT-490
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.05663-$0.08154

NTE4153NT1G 供应商

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NTE4153NT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：915mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.82nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：110pF @ 16V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-89，SOT-490
  • 供应商设备封装：SC-89-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTE4153NT1GOSTR

NTE4153NT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTE4153NT1G

N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:915mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:760mV ;RoHS Compliant: Yes

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