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NTB45N06T4G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.60312-$0.79411

更新日期：2024-04-01 00:04:00

NTB45N06T4G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.60312-$0.79411

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NTB45N06T4G 中文资料属性参数

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：45A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 22.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1725pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.4W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTB45N06T4GOSNTB45N06T4GOS-NDNTB45N06T4GOSTR

NTB45N06T4G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTB45N06T4G

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:45A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.8V ;RoHS Compliant: Yes

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