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NTB30N20T4G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

NTB30N20T4G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

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NTB30N20T4G 中文资料属性参数

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：81 毫欧 @ 15A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2335pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTB30N20T4GOSNTB30N20T4GOS-NDNTB30N20T4GOSTR

NTB30N20T4G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTB30N20T4G

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):81mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.9V ;RoHS Compliant: Yes

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