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NTA4151PT1G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：SC-75，SOT-416
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0625-$0.09

更新日期：2024-04-01

NTA4151PT1G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416

  • 封装：SC-75，SOT-416
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0625-$0.09

NTA4151PT1G 供应商

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NTA4151PT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：760mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 350mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：156pF @ 5V
  • 功率 - 最大：301mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装：SC-75，SOT-416
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTA4151PT1GOSTR

NTA4151PT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NTA4151PT1G

P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:760mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-0.45V ;RoHS Compliant: Yes

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