- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.03887-$0.06877
更新日期:2025-01-08 11:01:05
产品简介:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.03887-$0.06877
MMBF170 供应商
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MMBF170
原装现货 -
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Onsemi
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杭州
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FSC
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SMD
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SOT-23-3
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669297
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上海市
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上海市
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SOT23-3
24+ -
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MMBF170 中文资料属性参数
- 产品培训模块:High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:40pF @ 10V
- 功率 - 最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBF170TR
MMBF170 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MMBF170
|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
5 Pages页,63K | 查看 |
MMBF170LT1
|
TMOS FET Transistor |
4 Pages页,99K | 查看 |
MMBF170LT1
|
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
4 Pages页,99K | 查看 |
MMBF170LT1G
|
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
4 Pages页,99K | 查看 |
MMBF170LT3
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Power MOSFET 500 mA, 60 V |
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MMBF170LT3G
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Power MOSFET 500 mA, 60 V |
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