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MGSF1N03LT1G

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.12-$0.155

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MGSF1N03LT1G

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.12-$0.155

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MGSF1N03LT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 1.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：140pF @ 5V
  • 功率 - 最大：420mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR

MGSF1N03LT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MGSF1N03LT1G

MOSFET, N, 30V, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.6mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:420mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.7V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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