更新日期:2024-04-01
IXTZ550N055T2 供应商
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IXYS
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DE475
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXTZ550N055T2 中文资料属性参数
- 标准包装:9
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchT2™ GigaMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:550A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1 毫欧 @ 100A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:595nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:40000pF @ 25V
- 功率 - 最大:600W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DE475
- 供应商设备封装:DE475
- 包装:管件
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