更新日期:2024-04-01
IXTP18N60PM 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-220F
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc,33年国产工厂
IXTP18N60PM 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:Polar™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:420 毫欧 @ 9A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:49nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2500pF @ 25V
- 功率 - 最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
IXTP18N60PM 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G