更新日期:2024-04-01 00:04:00
IXFT80N085 中文资料属性参数
- 标准包装:30
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HiPerFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):85V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 40A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 4mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:180nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:4800pF @ 25V
- 功率 - 最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 供应商设备封装:TO-268
- 包装:管件
IXFT80N085 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
2 Pages页,55K | 查看 |
IXFT80N085 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G