更新日期:2024-04-01
IXFR55N50 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS
-
ISOPLUS247?
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
IXYS
-
标准封装
20+ -
666
-
上海市
-
-
-
全新原装正品详情咨询客服
IXFR55N50 中文资料属性参数
- 标准包装:30
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HiPerFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:48A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 27.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:330nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:9400pF @ 25V
- 功率 - 最大:400W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:ISOPLUS247?
- 供应商设备封装:ISOPLUS247?
- 包装:管件
IXFR55N50 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
2 Pages页,500K | 查看 |
IXFR55N50 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G