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IXFR10N100Q

IXYS FET - 单
  • 封装：ISOPLUS247?
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$27.761

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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IXFR10N100Q

IXYS FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247

  • 封装：ISOPLUS247?
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$27.761

IXFR10N100Q 供应商

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IXFR10N100Q 中文资料属性参数

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大：250W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装：ISOPLUS247?
  • 包装：管件

IXFR10N100Q 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXFR10N100Q

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances

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