更新日期:2024-04-01 00:04:00
IXFK80N20 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-3PL/TO-264
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc,33年国产工厂
IXFK80N20 中文资料属性参数
- 标准包装:25
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HiPerFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 4mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:280nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:5900pF @ 25V
- 功率 - 最大:360W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
- 供应商设备封装:TO-264AA
- 包装:管件
IXFK80N20 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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