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IXFA4N100Q-TRL

IXYS FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.964-$3.705

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IXFA4N100Q-TRL

IXYS FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.964-$3.705

IXFA4N100Q-TRL 中文资料属性参数

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 1.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IXFA4N100Q-TRL-NDIXFA4N100Q-TRLTRQ6067406

IXFA4N100Q-TRL 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXFA4N100Q-TRL

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

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