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IRLMS5703TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.15-$0.183

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRLMS5703TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP

  • 封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.15-$0.183

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IRLMS5703TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 1.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：170pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLMS5703PBFTR

IRLMS5703TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLMS5703TRPBF

MOSFET, P, 6-TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-2.3A; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:1.7W; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

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