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IRLML6401TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.111-$0.14

更新日期：2025-01-08

IRLML6401TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.111-$0.14

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IRLML6401TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：950mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：830pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLML6401PBFTR

IRLML6401TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML6401TRPBF

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:4.3A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:34A; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.05ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:100°C/W; Voltage, Vds Max:12V; Voltage, Vgs th Min:-0.4V; Width, Tape:8mm

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