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IRLML6302TR

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

更新日期：2024-04-01

IRLML6302TR

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

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IRLML6302TR 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：780mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 610mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.6nC @ 4.45V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：97pF @ 15V
  • 功率 - 最大：540mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：*IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT

IRLML6302TR 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML6302TRPBF

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:0.6A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:34A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.4W; Power, Pd:0.4W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:1C; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:-1.4V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm

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