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IRLML2803TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.099-$0.125

更新日期：2025-01-08 11:01:05

IRLML2803TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.099-$0.125

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IRLML2803TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：250 毫欧 @ 910mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：85pF @ 25V
  • 功率 - 最大：540mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLML2803PBFTR

IRLML2803TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML2803TRPBF

MOSFET, N REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:0.85A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:7.3A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.4W; Power, Pd:0.4W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:1B; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:2.5V; Width, External:3.05mm; W...

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