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IRLML0060TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.123-$0.155

更新日期：2025-01-08 11:01:05

IRLML0060TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.123-$0.155

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IRLML0060TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：92 毫欧 @ 2.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：290pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLML0060TRPBFTR

IRLML0060TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML0060TRPBF

MOSFET, N CH, 60V, 2.7A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):78mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:2.7A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:16V

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