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IRL3103PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.77111-$1.91

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRL3103PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.77111-$1.91

IRL3103PBF 供应商

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IRL3103PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：64A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 34A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1650pF @ 25V
  • 功率 - 最大：94W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRL3103PBF

IRL3103PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRL3103PBF

N CHANNEL MOSFET, 30V, 64A TO-220AB; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:64A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.8°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Vol...

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