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IRFS4010PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$2.57414-$5.76

更新日期：2024-04-01

IRFS4010PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$2.57414-$5.76

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IRFS4010PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.7 毫欧 @ 106A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：215nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：9575pF @ 50V
  • 功率 - 最大：375W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：管件

IRFS4010PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFS4010PBF

MOSFET, N-CH, 100V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacitance Ciss Typ:9575pF; Current Id Max:180A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:720A; Reverse Recovery Time trr Typ:72ns; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4...

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