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IRFR6215TR

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.021

更新日期：2024-04-01

IRFR6215TR

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.021

IRFR6215TR 供应商

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IRFR6215TR 中文资料属性参数

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：295 毫欧 @ 6.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：66nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：860pF @ 25V
  • 功率 - 最大：110W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：带卷 (TR)

IRFR6215TR 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFR6215TRPBF

MOSFET,P CH,150V,13A,DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):295mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-13A; Power Dissipation Pd:110W; Voltage Vgs Max:-20V

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