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IRFL024Z

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRFL024Z

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

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IRFL024Z 中文资料属性参数

  • 标准包装：80
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：57.5 毫欧 @ 3.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：340pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFL024Z

IRFL024Z 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFL024ZPBF

HEXFET Power MOSFET

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