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IRFH5304TR2PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：8-VQFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.41685-$0.5574

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRFH5304TR2PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN

  • 封装：8-VQFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.41685-$0.5574

IRFH5304TR2PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：400
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 47A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2360pF @ 10V
  • 功率 - 最大：3.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VQFN
  • 供应商设备封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRFH5304TR2PBFTR

IRFH5304TR2PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFH5304TR2PBF

MOSFET, N CH, 30V, 79A, PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:79A; Power Dissipation Pd:46W; Voltage Vgs Max:20V

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