IRFD9123PBF
FET - 单- 封装:4-DIP
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:散装
- 参考价格:$1.995
更新日期:2024-04-01 00:04:00
IRFD9123PBF
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH 80V 800MA HEXDIP
- 封装:4-DIP
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:散装
- 参考价格:$1.995
IRFD9123PBF 供应商
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IRFD9123PBF 中文资料属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):80V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:800mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
- Id 时的 Vgs(th)(最大):-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:1.25W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:4-DIP
- 供应商设备封装:4-DIP
- 包装:散装
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