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IRFD9110PBF

FET - 单
  • 封装:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.29025-$0.86

更新日期:2024-04-01

IRFD9110PBF

FET - 单

产品简介:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP

  • 封装:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.29025-$0.86

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IRFD9110PBF 中文资料属性参数

  • 数据列表:IRFD9110
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:700mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.2 欧姆 @ 420mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFD9110PBF

IRFD9110PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFD9110PBF

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP

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