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IRFD9010

FET - 单
  • 封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.2825

更新日期：2024-04-01

IRFD9010

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

  • 封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.2825

IRFD9010 供应商

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IRFD9010 中文资料属性参数

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 580mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：240pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFD9010

IRFD9010 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFD9010PBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-50V; Continuous Drain Current, Id:-1.1A; Package/Case:HD-1; Continuous Drain Current - 25 Deg C:-1.1A; Drain-Source Breakdown Voltage:-50V ;RoHS Compliant: Yes

6页,438K 查看
IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

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