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IRFD020PBF

FET - 单
  • 封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.51128-$1.4

更新日期：2024-04-01

IRFD020PBF

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP

  • 封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.51128-$1.4

IRFD020PBF 供应商

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IRFD020PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 1.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：400pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFD020PBF

IRFD020PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFD020PBF

MOSFET, N, DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:50V; Current, Id Cont:2.4A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:19A; Device Marking:IRFD020PBF; Lead Spacing:2.54mm; No. of Pins:4; Power Dissipation:1.0W; Power, Pd:1W; Row Pitch:7.62mm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:50V; Voltage, Vgs th Max:4...

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