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IRFBE30LPBF

FET - 单
  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.196-$2.85

更新日期：2024-04-01

IRFBE30LPBF

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.196-$2.85

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IRFBE30LPBF 中文资料属性参数

  • 数据列表：IRFBE30S,L
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 2.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大：125W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：I2PAK
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRFBE30LPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

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