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  • 封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$1.61252

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

  • 封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$1.61252

IRF9Z34NL 供应商

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IRF9Z34NL 中文资料属性参数

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:620pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.8W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装:TO-262
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF9Z34NL

IRF9Z34NL 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF9Z34NL

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)

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