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IRF9Z10

FET - 单
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.554

更新日期：2024-04-01

IRF9Z10

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 50V 6.7A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.554

IRF9Z10 供应商

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IRF9Z10 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：270pF @ 25V
  • 功率 - 最大：43W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF9Z10

IRF9Z10 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF9Z10PBF

P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.7A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

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