您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IRF9530NPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.70592-$1.75

更新日期：2025-01-09

IRF9530NPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$0.70592-$1.75

IRF9530NPBF 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价
更多供应商

IRF9530NPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 8.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：760pF @ 25V
  • 功率 - 最大：79W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF9530NPBF

IRF9530NPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF9530NPBF

MOSFET, P, -100V, -14A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-14A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF9530N; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.9°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:75W; Pulse...

8页,114K 查看

IRF9530NPBF 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9