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IRF9510STRR
FET - 单- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
IRF9510STRR
FET - 单产品简介：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
IRF9510STRR 供应商
- 公司
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- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
-
VishaySiliconix
-
D2PAK
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF9510STRR 中文资料属性参数
- 标准包装：800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：200pF @ 25V
- 功率 - 最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
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