- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.39246
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.39246
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IRF8736PBF 中文资料属性参数
- 标准包装:95
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.8 毫欧 @ 18A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 50µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2315pF @ 15V
- 功率 - 最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
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