IRF820
FET - 单- 封装:TO-220-3
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$1.428
更新日期:2024-04-01 00:04:00
IRF820
FET - 单产品简介:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
- 封装:TO-220-3
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$1.428
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IRF820 中文资料属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 欧姆 @ 1.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:360pF @ 25V
- 功率 - 最大:50W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:*IRF820IRF820IR
IRF820 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) |
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MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
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