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IRF7704TR

International Rectifier FET - 单
  • 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF7704TR

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP

  • 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

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IRF7704TR 中文资料属性参数

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：46 毫欧 @ 4.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3150pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-TSSOP
  • 包装：带卷 (TR)

IRF7704TR 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF7704TRPBF

MOSFET, P, 40V, TSSOP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSSOP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-4.6A; Package / Case:TSSOP; Power Dissipation Pd:1.5W; Pulse Current Idm:19A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:40V; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-1V; Voltage Vgs th Min:-3V

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