- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.192-$0.235
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.192-$0.235
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IRF7607TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1310pF @ 15V
- 功率 - 最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro8?
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRF7607TRPBF-NDIRF7607TRPBFTR
IRF7607TRPBF 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
IRF7607TRPBF
|
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.5A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.8W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:45mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:30mohm ;RoHS Compliant: Yes |
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