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IRF6668TR1

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

IRF6668TR1

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • 包装方式：带卷 (TR)

IRF6668TR1 供应商

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IRF6668TR1 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：55A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 12A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1320pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MZ
  • 包装：带卷 (TR)

IRF6668TR1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6668TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:24mJ; Base Number:6668; Cont Current Id @ 70°C:44A; Current Id Max:44A; Fall Time tf:23ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:170A; Rise Time:13ns; Storage Temperature Max:150°C; Storage Temperature Min:-40°C; Ter...

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