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IRF6662TR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.342-$1.51

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6662TR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.342-$1.51

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IRF6662TR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 8.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1360pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MZ
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6662TR1PBFTR

IRF6662TR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6662TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, MZ; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:8.3A; Resistance, Rds On:2.1mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3.9V; Case Style:MZ; Termination Type:SMD; Avalanche Single Pulse Energy Eas:39mJ; Base Number:6662; Current, Id Cont @ 70°C:6.6A; Current, Idm Pulse:66A; Power Dissipation:2.8mW; Temperature, Storage Max:150°C; Temperature, Storage Min:-40°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-40°C; Time, Fall:5.9ns; Time, Rise:7.5ns; Voltage, Vds:25V

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