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IRF6643TR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.78-$2.003

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6643TR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MZ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.78-$2.003

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IRF6643TR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：34.5 毫欧 @ 7.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2340pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MZ
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6643TR1PBFTR

IRF6643TR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6643TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):34.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:DirectFET MZ; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:50mJ; Base Number:6643; Cont Current Id @ 70°C:5A; Current Id Max:6.2A; Fall Time tf:4.4ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:76A; ...

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