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IRF6637

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MP
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6637

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MP
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

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IRF6637 中文资料属性参数

  • 标准包装：4,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.7 毫欧 @ 14A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1330pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MP
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MP
  • 包装：带卷 (TR)

IRF6637 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6637

DirectFETPower MOSFET

 9 Pages页,266K 查看
IRF6637TR1

DirectFETPower MOSFET

 9 Pages页,266K 查看
IRF6637TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MP; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:5.7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:MP; Termination Type:SMD; Base Number:6637; Current, Idm Pulse:110A; Power Dissipation:2.3mW; SMD Marking:2.3; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vgs th Max:2.35V; Voltage, Vgs th Min:1.35V

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