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IRF6629TR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MX
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.338-$1.506

更新日期：2024-04-01

IRF6629TR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MX
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.338-$1.506

IRF6629TR1PBF 供应商

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IRF6629TR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：29A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.1 毫欧 @ 29A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：51nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4260pF @ 13V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
  • 包装：带卷 (TR)
  • 配用：IRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBFIRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
  • 其它名称：IRF6629TR1PBFTR

IRF6629TR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6629TR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Avalanche Single Pulse Energy Eas:1170mJ; Base Number:6629; Cont Current Id @ 70°C:23; Current Id Max:23A; Fall Time tf:7.4ns; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8mW; Pulse Current Idm:230A; Rise Time:67ns; Storage Temperature Max:150°C; Sto...

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